HBM 베이스 다이 HBM4 차이, D램 공정에서 로직 파운드리로 바뀌는 이유
HBM 베이스 다이 HBM4 차이를 집중 분석합니다. D램 공정에서 파운드리 로직 공정으로 전환되면서 생기는 대역폭, 전력 효율, 맞춤형 기능의 변화를 알기 쉽게 설명합니다. 이미지 출처 : 삼성전자 반도체 고대역폭 메모리(HBM) 기술을 논할 때 이전 세대까지는 주로 D램을 몇 층으로 쌓아 올렸는지가 주요 관심사였습니다. 하지만 6세대 규격인 HBM4로 넘어가면서 기술 경쟁의 초점은 맨 아래층에 위치하는 HBM … 더 읽기